MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
217-2571
Referência do fabricante:
IPP80R900P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

29.95mm

Anchura

4.57 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

La serie Infineon 800V CoolMOS™ P7 de MOSFET de superunión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de LDM y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.

El mejor FOM R DS(on) * E OSS de su clase; QG, C ISS y C oss reducidos

El mejor DPAK R DS(on) de su clase de 280mΩ

La mejor V (GS)th de su clase de 3V y la variación V (GS)th más pequeña De ± 0,5 V.

Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)

La mejor calidad y fiabilidad de su clase

Cartera totalmente optimizada

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