MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 2 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
906-4498
Referência do fabricante:
SPA02N80C3XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS C3

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

30.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.85mm

Anchura

4.85mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

16.15mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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