MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2533
Referência do fabricante:
IPD80R360P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie Infineon 800V CoolMOS™ P7 de MOSFET de superunión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de LDM y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.

El mejor FOM RDS(on)*Eoss de su clase; QG, CISS y Coss reducidos

El mejor DPAK RDS(on) de su clase

El mejor V(GS)th de su clase de 3V y la variación V(GS)th más pequeña de ±0,5 V.

Protección ESD de diodo Zener integrada

Cartera totalmente optimizada

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