MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4478
- Referência do fabricante:
- SPD02N80C3ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4478
- Referência do fabricante:
- SPD02N80C3ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 42W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 42W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC1 | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon Cool MOS utiliza la nueva tecnología revolucionaria de alta tensión y tiene una alta capacidad de corriente de Peak.
Tiene una carga de puerta ultrabaja
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