MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 73 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9673
- Referência do fabricante:
- TSM080N03PQ56
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1 035,00 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,414 € | 1 035,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 216-9673
- Referência do fabricante:
- TSM080N03PQ56
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 73A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 155°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 73A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 155°C | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM080N03PQ56, VDSS 30 V, ID 73 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 104 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 80 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 80 V, ID 67 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 644 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 150 V, ID 24 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines