MOSFET, N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 124 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9655
- Referência do fabricante:
- TSM036N03PQ56
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- TSM036N03PQ56
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 124A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.78mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 124A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.78mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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