MOSFET, N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 54 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9680
- Referência do fabricante:
- TSM110NB04CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Desconhecemos se este artigo será reposto, pois está a ser descontinuado pelo fabricante.
- Código RS:
- 216-9680
- Referência do fabricante:
- TSM110NB04CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 5.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.2mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 5.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM110NB04CR, VDSS 40 V, ID 54 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 124 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 51 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 55 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 73 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 48 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines