MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM055N03PQ56, VDSS 30 V, ID 80 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9666
- Referência do fabricante:
- TSM055N03PQ56
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- Código RS:
- 216-9666
- Referência do fabricante:
- TSM055N03PQ56
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.1nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21 | |
| Anchura | 5 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.1nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21 | ||
Anchura 5 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Libre de halógenos conforme a IEC 61249-2-21
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