MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 30 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9705
- Referência do fabricante:
- TSM250NB06DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 216-9705
- Referência do fabricante:
- TSM250NB06DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 25mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.1mm | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM250NB06DCR, VDSS 60 V, ID 30 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 44 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 55 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 73 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 80 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 54 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 48 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 28 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines