MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM089N08LCR, VDSS 80 V, ID 67 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9679
- Referência do fabricante:
- TSM089N08LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- Código RS:
- 216-9679
- Referência do fabricante:
- TSM089N08LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 67A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | TSM025 | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 155°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 5 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 67A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie TSM025 | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 155°C | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 5 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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