MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R170CFD7XKSA1, VDSS 600 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2542
- Referência do fabricante:
- IPP60R170CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- IPP60R170CFD7XKSA1
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 es la última tecnología de MOSFET de súper unión de alta tensión de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado, que completa la serie Cool MOS™ 7. El MOS™ CFD7 frío se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69% inferior en comparación con la competencia, así como el menor tiempo de recuperación inversa (trr) del mercado.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados
FOM RDS(on) x QG y Eoss más bajos
Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase
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