MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL60R285P7AUMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines

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Código RS:
215-2524
Referência do fabricante:
IPL60R285P7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS CFD7

Encapsulado

ThinPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

285mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

59W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.1 mm

Altura

8.1mm

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La Infineon 600V Cool MOS™ P7 es la sucesora de la serie 600V Cool MOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, una tendencia de timbre muy baja, una excelente solidez del diodo del cuerpo contra conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que la aplicación de conmutación sea siete más eficiente, más compacta y mucho más fría.

Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) debido a una extraordinaria resistencia a la conmutación

Excelente resistencia ESD >2kV(HBM) para todos los productos

Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación

Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante

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