MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 222-4915
- Referência do fabricante:
- IPL60R185P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4915
- Referência do fabricante:
- IPL60R185P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPL60R | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 185mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 8.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPL60R | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 185mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 8.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon 600V CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta R G integrada
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
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