MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

2 037,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 02 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,679 €2 037,00 €

*preço indicativo

Código RS:
214-4399
Referência do fabricante:
IPL60R365P7AUMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

ThinPAK

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

365mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Anchura

8.1 mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Dispone de diodo de cuerpo resistente

RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET

Links relacionados