MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 214-4399
- Referência do fabricante:
- IPL60R365P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4399
- Referência do fabricante:
- IPL60R365P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 365mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 46W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 8.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 365mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 46W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 8.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
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