MOSFET, N-Canal Infineon IPD80R2K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

15,04 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 2140 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
20 - 800,752 €15,04 €
100 - 1800,715 €14,30 €
200 - 4800,684 €13,68 €
500 - 9800,654 €13,08 €
1000 +0,526 €10,52 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
215-2516
Referência do fabricante:
IPD80R2K4P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Serie

800V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

900mV

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

22W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS™ P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones típicas de devolución. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK RDS(on).

Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)

La mejor calidad y fiabilidad de su clase

Cartera totalmente optimizada

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.