MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS70R600P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4934
- Referência do fabricante:
- IPS70R600P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
5,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1460 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,27 € | 5,40 € |
| 100 - 180 | 0,262 € | 5,24 € |
| 200 - 480 | 0,255 € | 5,10 € |
| 500 - 980 | 0,249 € | 4,98 € |
| 1000 + | 0,243 € | 4,86 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4934
- Referência do fabricante:
- IPS70R600P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | IPS70R | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.22mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie IPS70R | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.22mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon se ha desarrollado para servir a las tendencias actuales y, especialmente, a las del futuro en topologías de retorno: La nueva serie MOSFET de superunión 700V CoolMOS™ P7 se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo mejoras de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de superunión utilizadas hoy en día. Al combinar las opiniones de los clientes con más de 20 años de experiencia en MOSFET de superunión, el 700V
Permite conmutación de alta velocidad
Diodo Zener de protección integrada
V (GS)th optimizada de 3V con tolerancia muy estrecha de ±0,5 V.
Cartera finamente graduada
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPSA70R600P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPSA70R1K4P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines