MOSFET, N-Canal Infineon IPB60R180C7ATMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2498
- Referência do fabricante:
- IPB60R180C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS C7 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Altura | 15.88mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS C7 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.57mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Altura 15.88mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET Infineon 600V Cool MOS™ C7 Super Junction (SJ) ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con el Cool MOS™ CP, que ofrece un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia. Las aplicaciones de eficiencia y TCO (coste total de propiedad) como centros de datos hiperactivo y rectificadores de telecomunicaciones de alta eficiencia (>96%) se benefician de la mayor eficiencia que ofrece Cool MOS™ C7. Se pueden conseguir ganancias del 0,3 % al 0,7 % en topologías PFC y del 0,1 % en LLC. En el caso de una fuente de alimentación de servidor de 2,5 kW, por ejemplo, el uso de MOSFET 600V Cool MOS™ C7 SJ en un encapsulado TO-247 4pin puede dar lugar a una reducción del coste de energía de ∼10% para la pérdida de energía de la fuente de alimentación.
Parámetros de pérdida de conmutación reducida como Q G, C oss, E oss
Mejor factor de mérito de su clase Q G*R DS(on)
Frecuencia de conmutación aumentada
Mejor R (on)*A del mundo
Diodo de cuerpo resistente
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