MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 7.2 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9104
- Referência do fabricante:
- IPS65R1K0CEAKMA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 214-9104
- Referência do fabricante:
- IPS65R1K0CEAKMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 37W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.4mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 37W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.4mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Fácil de usar/conducir
Resistencia a conmutación muy alta
Apto para aplicaciones de grado estándar
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS65R1K0CEAKMA2, VDSS 650 V, ID 7.2 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 7.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD65R1K0CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 7.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 6.8 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPS60R1K0CEAKMA1, VDSS 650 V, ID 6.8 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R270D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 7.2 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon SPU07N60C3BKMA1, VDSS 650 V, ID 7,3 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 7.2 A, N, TO-220 de 3 pines