MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
214-9013
Referência do fabricante:
IPB120N08S404ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS-T2

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. Estos productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Los productos Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de los estándares de regulación de tensión de última generación más afilados en aplicaciones informáticas. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

El producto tiene certificación AEC Q101

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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