MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB120N08S403ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
214-4366
Referência do fabricante:
IPB120N08S403ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS -T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

128nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.27mm

Longitud

10.02mm

Altura

4.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET Infineon OptiMOS T2 está probado 100 % para avalancha y es conforme con RoHS.

Tiene certificación AEC Q101

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