MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC010N04LSIATMA1, VDSS 40 V, ID 275 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 214-8970
- Referência do fabricante:
- BSC010N04LSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-8970
- Referência do fabricante:
- BSC010N04LSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 275A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 87nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 275A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 87nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.35mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon las nuevas familias de productos 40V y 60V incorporan no solo el R DS(on) más bajo del sector, sino también un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Advanced Thin Wafer ha conseguido un 15 % menos de R DS(on) y un 31 % menos de mérito (R DS(on) x Q g) en comparación con dispositivos alternativos. Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia.
Diodo Schottky integrado monolítico
Optimizado para rectificación síncrona
100 % a prueba de avalancha
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