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    MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si

    Código RS:
    178-7485
    Referência do fabricante:
    BSC028N06NSATMA1
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon

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    178-7485
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    BSC028N06NSATMA1
    Fabricante:
    Infineon

    Estado RoHS: Não aplicável

    Legislação e Conformidade

    Estado RoHS: Não aplicável


    Detalhes do produto

    MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon



    Transistores MOSFET, Infineon


    Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.


    Especificações

    AtributoValor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
    Tipo de EncapsuladoTDSON
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines8
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente4,2 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Disipación de Potencia Máxima83 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Ancho5.35mm
    Material del transistorSi
    Número de Elementos por Chip1
    Longitud6.1mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs37 nC a 10 V
    Altura1.1mm
    Tensión de diodo directa1.2V
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    SerieOptiMOS 5
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