MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

Código RS:: 178-7485
Referência do fabricante:: BSC028N06NSATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:: 178-7485
Referência do fabricante:: BSC028N06NSATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	TDSON
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	37nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	83W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Altura	1.1mm
	Anchura	5.35 mm
	Longitud	6.1mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado TDSON
	Serie OptiMOS 5
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 83W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Altura 1.1mm
	Anchura 5.35 mm
	Longitud 6.1mm
	Estándar de automoción No

BSC028N06NS OptiMOS Power-Transistor

Estado RoHS: Não aplicável

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 5, corriente de drenaje continua máxima de 137 A, disipación de potencia máxima de 100 W - BSC028N06NSATMA1

Este MOSFET de alta potencia es adecuado para aplicaciones en las que la eficiencia y la fiabilidad son esenciales. Con una corriente de drenaje continua máxima de 137 A y una tensión de ruptura de 60 V, es muy adecuado para sistemas de gestión de potencia, lo que lo convierte en una excelente opción para los profesionales de la automatización y la electrónica. Su rango de tensión umbral de puerta mejorado favorece un rendimiento de conmutación preciso, garantizando un funcionamiento eficaz en diversos entornos.

Características y ventajas

• Admite aplicaciones de alta potencia con una disipación máxima de 100 W

• RDS(on) bajo de 4,2mΩ para mejorar la eficiencia

• Configuración de canal N para mejorar el rendimiento

• Paquete TDSON para una gestión térmica eficaz

• Temperatura mínima de funcionamiento de -55°C, ideal para condiciones extremas

• Resistencia a las avalanchas en condiciones transitorias

Aplicaciones

• Utilizado en circuitos de rectificación síncrona para fuentes de alimentación

• Apto para vehículos eléctricos y automatización industrial

• Aplicado en fuentes de alimentación conmutadas para una conversión eficaz de la energía

• Se utiliza en sistemas SAI para soluciones de reserva de energía fiables

• Apropiado para convertidores CC-CC e inversores en sistemas de energías renovables

¿Cuál es el intervalo de temperatura adecuado para su funcionamiento?

Funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, adaptándose a diversas condiciones ambientales.

¿Cómo gestiona térmicamente este componente?

El encapsulado TDSON del dispositivo optimiza la resistencia térmica, garantizando una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento.

¿Qué tensión de puerta se necesita para un rendimiento óptimo?

La tensión puerta-fuente máxima es de ±20 V, mientras que la tensión umbral de puerta oscila entre 2,1 V y 3,3 V, lo que facilita unas condiciones de accionamiento eficaces.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?

Sí, está diseñado con características dinámicas que admiten la conmutación de alta frecuencia, lo que lo hace adecuado para los diseños electrónicos modernos.

¿Qué salvaguardias existen contra el sobreesfuerzo eléctrico?

Está validado para aplicaciones industriales y sometido a pruebas de avalancha completas, lo que proporciona seguridad frente a picos transitorios de la demanda eléctrica.