MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 340 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
214-8954
Referência do fabricante:
AUIRFS3004TRL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

340A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.75mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

160nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

380W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Apto para automoción

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