MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF1404ZSTRLPBF, VDSS 40 V, ID 180 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4442
- Referência do fabricante:
- IRF1404ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4442
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- IRF1404ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.7mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.7mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y avalancha repetitiva mejorada
No contiene plomo
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