MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL60R365P7AUMA1, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

12,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 2780 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 +1,20 €12,00 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
214-4400
Referência do fabricante:
IPL60R365P7AUMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Encapsulado

ThinPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

365mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Anchura

8.1 mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Dispone de diodo de cuerpo resistente

RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET

Links relacionados