MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N06S2L13ATMA2, VDSS 55 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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214-4377
Referência do fabricante:
IPD50N06S2L13ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.65mm

Anchura

6.42 mm

Altura

2.35mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET Infineon OptiMOS proporciona alta capacidad de corriente y las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica. Se ha probado una avalancha del 100 %.

La carga de puerta total optimizada permite etapas de salida de controlador más pequeñas

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