MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 42 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2606
- Referência do fabricante:
- IRLR2905TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-2606
- Referência do fabricante:
- IRLR2905TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | EIA-481, EIA-541 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares EIA-481, EIA-541 | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET Infineon HEXFET Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 55V y es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un tipo de encapsulado D-Pak. El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete D está diseñado para montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Sin plomo
Valor nominal de avalancha total
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