MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R360P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4372
- Referência do fabricante:
- IPB60R360P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4372
- Referência do fabricante:
- IPB60R360P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 41W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.02mm | |
| Altura | 4.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 41W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.02mm | ||
Altura 4.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
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