MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4371
- Referência do fabricante:
- IPB60R360P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4371
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- IPB60R360P7ATMA1
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 41W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.5mm | |
| Anchura | 9.27mm | |
| Longitud | 10.02mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 41W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.5mm | ||
Anchura 9.27mm | ||
Longitud 10.02mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET CoolMOS serie P7 de 600 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 9 A - IPB60R360P7ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas de alimentación industriales. Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 y está diseñado para aplicaciones que requieren un control de puerta robusto y un manejo de corriente de drenaje significativo en rangos de temperatura elevados.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 600 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 9 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 360 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia máxima de 41 W gestiona el estrés térmico durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 13 nC permite transiciones de control de puerta eficientes
• La tolerancia máxima de puerta-fuente de 20 V permite tensiones de accionamiento de puerta comunes
• La corriente de drenaje continua de 9 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 360 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia máxima de 41 W gestiona el estrés térmico durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 13 nC permite transiciones de control de puerta eficientes
• La tolerancia máxima de puerta-fuente de 20 V permite tensiones de accionamiento de puerta comunes
Aplicaciones
• Se utiliza para etapas de conmutación de fuente de alimentación de alta tensión
• Adecuado para módulos de conversión ac/dc industriales
• Ideal para implementaciones de rectificación síncrona de lado secundario
• Se puede utilizar para circuitos auxiliares de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con conjuntos de montaje en superficie que requieren dispositivos de alimentación de tres terminales
• Adecuado para módulos de conversión ac/dc industriales
• Ideal para implementaciones de rectificación síncrona de lado secundario
• Se puede utilizar para circuitos auxiliares de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con conjuntos de montaje en superficie que requieren dispositivos de alimentación de tres terminales
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar durante el funcionamiento?
Funciona en un rango de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles.
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza para la integración de la placa?
Se suministra en un encapsulado TO-263 diseñado para montaje en superficie para facilitar el contacto térmico y el montaje automatizado.
¿Cómo satisface el dispositivo los requisitos de accionamiento de puerta para una conmutación rápida?
Con una carga de puerta típica de 13 nC y un límite de fuente de puerta de 20 V, admite conmutación rápida al tiempo que utiliza tensiones de controlador de puerta comunes.
¿Qué modo de control y polaridad emplea el transistor?
Se trata de un dispositivo de modo de mejora de tipo N adecuado para topologías de conmutación de lado bajo y lado alto.
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