MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 26 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4367
- Referência do fabricante:
- IPB60R120P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 214-4367
- Referência do fabricante:
- IPB60R120P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 95W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.27mm | |
| Altura | 4.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 95W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.27mm | ||
Altura 4.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET CoolMOS serie P7 de 600 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 26 A - IPB60R120P7ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia en entornos térmicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para montaje en superficie en circuitos electrónicos de potencia donde se requiere bloqueo de alta tensión y una capacidad de corriente continua significativa.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje de 600 V permite diseños de sistemas de alta tensión
• La corriente continua de 26 A admite una gestión de carga robusta
• La Rds(on) de 120 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 36 nC permite un tamaño de unidad predecible
• La disipación de potencia máxima de 95 W permite un rendimiento de potencia elevado
• límites de caída de diodo de tensión directa de 0,9 V en circuitos síncronos
• La corriente continua de 26 A admite una gestión de carga robusta
• La Rds(on) de 120 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 36 nC permite un tamaño de unidad predecible
• La disipación de potencia máxima de 95 W permite un rendimiento de potencia elevado
• límites de caída de diodo de tensión directa de 0,9 V en circuitos síncronos
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Ideal para convertidores resonantes y de conmutación dura
• Se utiliza con extremos delanteros de accionamiento de motor de alta tensión
• Puede utilizarse para carriles de alimentación auxiliares en equipos industriales
• Apto para armarios electrónicos de alta temperatura
• Ideal para convertidores resonantes y de conmutación dura
• Se utiliza con extremos delanteros de accionamiento de motor de alta tensión
• Puede utilizarse para carriles de alimentación auxiliares en equipos industriales
• Apto para armarios electrónicos de alta temperatura
¿Qué tipo de encapsulado utiliza para el montaje en placa?
Se suministra en un encapsulado TO-263 configurado para montaje en superficie, lo que facilita la conducción térmica a un patrón de tierra de PCB.
¿Cómo tolera el dispositivo temperaturas extremas durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos con amplias oscilaciones térmicas.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta debo observar?
La tensión nominal máxima de puerta a fuente es de 20 V, por lo que los circuitos de accionamiento deben permanecer dentro de este umbral para evitar daños en la puerta.
¿Qué comportamiento de conmutación afecta a las decisiones de diseño?
La carga de puerta típica del dispositivo de 36 nC y su valor Rds(on) influyen en las necesidades de corriente del controlador de puerta y en el ancho de cobre para minimizar las pérdidas de I2R.
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