MOSFET Infineon IPB025N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código RS:: 911-0825
Referência do fabricante:: IPB025N10N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB025N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

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Código RS:: 911-0825
Referência do fabricante:: IPB025N10N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET N-ch OptiMOS3 100V 180A TO263-7
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK-7
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	155 nC a 10 V
Longitud	10.31mm
Ancho	9.45mm
Altura	4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPB025N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior