MOSFET, N-Canal Infineon IAUT300N10S5N015ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 214-4347
- Referência do fabricante:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
11,28 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 22 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,64 € | 11,28 € |
| 10 - 18 | 5,02 € | 10,04 € |
| 20 - 48 | 4,68 € | 9,36 € |
| 50 - 98 | 4,345 € | 8,69 € |
| 100 + | 4,06 € | 8,12 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4347
- Referência do fabricante:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 166nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado HSOF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 166nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 300 A - IAUT300N10S5N015ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta potencia diseñado para funciones exigentes de conmutación y conversión de potencia. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para condiciones hostiles y está encapsulado para montaje en superficie con un huella HSOF estándar del sector, lo que ofrece una baja caída hacia delante para una conducción eficiente en circuitos de alta corriente.
Características y ventajas:
• La capacidad de drenaje de 100 V permite una conmutación de mayor tensión
• La baja Rds(on) de 1,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción durante corrientes elevadas
• La corriente continua de 300 A admite aplicaciones de carga pesada
• La disipación de potencia de 375 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta 166 nC equilibra los requisitos de velocidad de conmutación y accionamiento
• La tensión directa de 1,3 V limita la caída de tensión bajo carga
• La baja Rds(on) de 1,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción durante corrientes elevadas
• La corriente continua de 300 A admite aplicaciones de carga pesada
• La disipación de potencia de 375 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta 166 nC equilibra los requisitos de velocidad de conmutación y accionamiento
• La tensión directa de 1,3 V limita la caída de tensión bajo carga
Aplicaciones
• Adecuado para convertidores e inversores de potencia de alta corriente
• Ideal para etapas de tracción y accionamiento de motor en electrónica de potencia
• Se utiliza para convertidores dc-dc de alto rendimiento en sistemas industriales
• Se puede utilizar para módulos de distribución de potencia de estado sólido
• Apto para etapas de conmutación rápida en fuentes de alimentación de servidor
• Ideal para etapas de tracción y accionamiento de motor en electrónica de potencia
• Se utiliza para convertidores dc-dc de alto rendimiento en sistemas industriales
• Se puede utilizar para módulos de distribución de potencia de estado sólido
• Apto para etapas de conmutación rápida en fuentes de alimentación de servidor
¿Qué resistencia de accionamiento de puerta se requiere para una conmutación eficiente?
Espera que los controladores de puerta sean capaces de generar y absorber suficiente corriente para cargar 166 nC dentro de su intervalo de conmutación específico
el accionamiento más lento aumenta las pérdidas de conmutación.
¿Cómo soporta el dispositivo temperaturas de unión elevadas?
Está diseñado para funcionar de –55 a 175 °C, lo que permite su uso en entornos de alta temperatura cuando se aplica una gestión térmica adecuada.
¿Qué consideraciones de montaje son importantes para el rendimiento térmico?
El HSOF de montaje en superficie requiere una estrategia de tierra térmica y disipación térmica de PCB bien diseñada para disipar hasta 375 W de potencia bajo altas prestaciones.
¿Cómo afecta la configuración del canal al diseño del circuito?
Como dispositivo de mejora de canal N, es adecuado para disposiciones de conmutación de lado bajo o rectificación síncrona donde la referencia de puerta está cerca del potencial de fuente.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 9 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 9 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IPLU300N04S41R1XTMA1, VDSS 40 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IAUT300N08S5N012ATMA2, VDSS 80 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines