MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines

Código RS:: 214-4346
Referência do fabricante:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (2000 unidades, em rolo de 2000)*

4 680,00 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €

Fora de stock temporariamente

Envio a partir do dia 29 de março de 2027

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
2000 +	2,34 €	4 680,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 214-4346
Referência do fabricante:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	300A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	HSOF
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	166nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Disipación de potencia máxima Pd	375W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 300A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado HSOF
	Serie OptiMOS 5
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 166nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Disipación de potencia máxima Pd 375W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - IAUT300N10S5N015ATMA1

MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 300 A - IAUT300N10S5N015ATMA1

Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta potencia diseñado para funciones exigentes de conmutación y conversión de potencia. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para condiciones hostiles y está encapsulado para montaje en superficie con un huella HSOF estándar del sector, lo que ofrece una baja caída hacia delante para una conducción eficiente en circuitos de alta corriente.

Características y ventajas:

• La capacidad de drenaje de 100 V permite una conmutación de mayor tensión
• La baja Rds(on) de 1,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción durante corrientes elevadas
• La corriente continua de 300 A admite aplicaciones de carga pesada
• La disipación de potencia de 375 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta 166 nC equilibra los requisitos de velocidad de conmutación y accionamiento
• La tensión directa de 1,3 V limita la caída de tensión bajo carga

Aplicaciones

• Adecuado para convertidores e inversores de potencia de alta corriente
• Ideal para etapas de tracción y accionamiento de motor en electrónica de potencia
• Se utiliza para convertidores dc-dc de alto rendimiento en sistemas industriales
• Se puede utilizar para módulos de distribución de potencia de estado sólido
• Apto para etapas de conmutación rápida en fuentes de alimentación de servidor

¿Qué resistencia de accionamiento de puerta se requiere para una conmutación eficiente?

Espera que los controladores de puerta sean capaces de generar y absorber suficiente corriente para cargar 166 nC dentro de su intervalo de conmutación específico

el accionamiento más lento aumenta las pérdidas de conmutación.

¿Cómo soporta el dispositivo temperaturas de unión elevadas?

Está diseñado para funcionar de –55 a 175 °C, lo que permite su uso en entornos de alta temperatura cuando se aplica una gestión térmica adecuada.

¿Qué consideraciones de montaje son importantes para el rendimiento térmico?

El HSOF de montaje en superficie requiere una estrategia de tierra térmica y disipación térmica de PCB bien diseñada para disipar hasta 375 W de potencia bajo altas prestaciones.

¿Cómo afecta la configuración del canal al diseño del circuito?

Como dispositivo de mejora de canal N, es adecuado para disposiciones de conmutación de lado bajo o rectificación síncrona donde la referencia de puerta está cerca del potencial de fuente.