MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 9 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

3 552,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 8000 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2000 +1,776 €3 552,00 €

*preço indicativo

Código RS:
168-5941
Referência do fabricante:
IPT004N03LATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

HSOF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

500μΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

252nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

10.58 mm

Longitud

10.1mm

Altura

2.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 para automoción

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Encapsulado ecológico (sin plomo)

RDS(on) ultrabajo

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Links relacionados