MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

6 696,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 25 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2000 +3,348 €6 696,00 €

*preço indicativo

Código RS:
178-7450
Referência do fabricante:
IPT020N10N3ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

HSOF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

156nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.58mm

Anchura

10.1 mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Links relacionados