MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STD11N60M6, VDSS 600 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
212-2105
Referência do fabricante:
STD11N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

STD11N60M6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

500mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.3nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.2mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

No

MOSFET DE CANAL N MDMESH M6


STMicroelectronics MDmesh M6 incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. Se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles, así como una experiencia fácil de usar para lograr la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.

Pérdidas de conmutación reducidas

Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior

Resistencia de entrada de puerta baja

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

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