MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

4 440,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 +1,776 €4 440,00 €

*preço indicativo

Código RS:
165-6595
Referência do fabricante:
STD13NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

FDmesh

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24.5nC

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

109W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Anchura

6.2 mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Links relacionados