MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 1 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
920-8727
Referência do fabricante:
STD1NK60T4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Longitud

6.6mm

Anchura

6.2 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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