MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 45 A, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 212-2093
- Referência do fabricante:
- SCTWA40N120G2V-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 212-2093
- Referência do fabricante:
- SCTWA40N120G2V-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 277W | |
| Tensión directa Vf | 3.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 61nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 277W | ||
Tensión directa Vf 3.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
SiC MOSFET
MOSFET STMicroelectronics de 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC con un IGBT Trench Field Stop (TFS) con la misma tensión nominal y resistencia de estado de conexión equivalente. El MOSFET STPOWER SiC presenta pérdidas de conmutación significativamente reducidas, incluso a altas temperaturas. Esto permite al diseñador funcionar a frecuencias de conmutación muy altas, reduciendo el tamaño de los componentes pasivos para factores de forma más pequeños.
Pérdidas de conmutación muy bajas
Bajas pérdidas de potencia a altas temperaturas
Mayor temperatura de funcionamiento (hasta 200 ˚C)
Diodo de cuerpo sin pérdidas de recuperación
Fácil de manejar
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