MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 239-5530
- Referência do fabricante:
- SCTW60N120G2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
23,78 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 265 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 1 | 23,78 € |
| 2 - 4 | 23,30 € |
| 5 + | 20,98 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 239-5530
- Referência do fabricante:
- SCTW60N120G2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 73mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 94nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 389W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 5mm | |
| Anchura | 15.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Longitud | 34.8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 73mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 389W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 5mm | ||
Anchura 15.6 mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Longitud 34.8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión. Se puede utilizar en fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores dc-dc y control de motor industrial.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada
Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 36 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines