MOSFET, N-Canal STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1.2 kV, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 239-5530
- Referência do fabricante:
- SCTW60N120G2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 239-5530
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 73mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 94nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 389W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 5mm | |
| Longitud | 34.8mm | |
| Anchura | 15.6mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 73mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 389W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 5mm | ||
Longitud 34.8mm | ||
Anchura 15.6mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión. Se puede utilizar en fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores dc-dc y control de motor industrial.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada
Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta
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