MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 239-5530
- Referência do fabricante:
- SCTW60N120G2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 239-5530
- Referência do fabricante:
- SCTW60N120G2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 73mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 389W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 94nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Longitud | 34.8mm | |
| Altura | 5mm | |
| Anchura | 15.6 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 73mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 389W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Longitud 34.8mm | ||
Altura 5mm | ||
Anchura 15.6 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión. Se puede utilizar en fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores dc-dc y control de motor industrial.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada
Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta
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