MOSFET STMicroelectronics SCT070W120G3AG, VDSS 1200 V, ID 30 A, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 330-234
- Referência do fabricante:
- SCT070W120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 330-234
- Referência do fabricante:
- SCT070W120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCT0 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 63mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 236W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCT0 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 63mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 236W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología SiC MOSFET avanzada e innovadora de 3ra. generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Cualificado AEC-Q101
RDS(on) muy bajo en toda la gama de temperaturas
Alta velocidad de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Muy alta capacidad de temperatura de unión TJ igual a 200 °C
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