MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHB17N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4971
- Referência do fabricante:
- SIHB17N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 210-4971
- Referência do fabricante:
- SIHB17N80AE-GE3
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- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Altura | 4.06mm | |
| Longitud | 14.61mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.65mm | ||
Altura 4.06mm | ||
Longitud 14.61mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 15 A - SIHB17N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia en aplicaciones de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para su uso donde se requiere una conmutación robusta de alta tensión, un manejo de corriente moderado y un encapsulado SMD compacto.
Características y ventajas:
• Tensión máxima de drenaje-fuente de 800 V que permite la conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 15 A para un manejo de carga moderado
• La Rds(on) de 250 mΩ minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 179 W admite un funcionamiento de alta potencia
• Carga de puerta típica de 41 nC para un comportamiento de conmutación predecible
• La tensión de fuente de puerta máxima de 30 V garantiza el margen de accionamiento de la puerta
• Corriente de drenaje continua de 15 A para un manejo de carga moderado
• La Rds(on) de 250 mΩ minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 179 W admite un funcionamiento de alta potencia
• Carga de puerta típica de 41 nC para un comportamiento de conmutación predecible
• La tensión de fuente de puerta máxima de 30 V garantiza el margen de accionamiento de la puerta
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de alta tensión del lado primario de SMPS
• Ideal para etapas de potencia de alta tensión industriales
• Se utiliza con convertidores de impulso que requieren dispositivos de 800 V
• Se puede utilizar para extremos frontales de corrección de factor de potencia
• Ideal para etapas de potencia de alta tensión industriales
• Se utiliza con convertidores de impulso que requieren dispositivos de 800 V
• Se puede utilizar para extremos frontales de corrección de factor de potencia
¿Qué extremos térmicos puede soportar este dispositivo en funcionamiento?
Está especificado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos con grandes variaciones de temperatura.
¿Qué encapsulado y estilo de montaje debo planificar en la placa?
El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-263 diseñado para montaje en superficie en áreas de disipación térmica de la placa.
¿Cuántas conexiones eléctricas presenta para consideraciones de diseño?
El componente tiene tres contactos, correspondientes a las terminaciones de puerta, drenaje y fuente para el enrutamiento de PCB.
¿Qué es el modo de canal y cómo afecta a la conmutación?
El transistor es un dispositivo de canal N de modo de mejora, que requiere un accionamiento de puerta positivo en relación con la fuente para encender.
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