MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4962
- Referência do fabricante:
- SiHA186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
81,05 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 950 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,621 € | 81,05 € |
| 100 - 200 | 1,524 € | 76,20 € |
| 250 - 450 | 1,378 € | 68,90 € |
| 500 + | 1,297 € | 64,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-4962
- Referência do fabricante:
- SiHA186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 168mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.7 mm | |
| Altura | 4.3mm | |
| Longitud | 28.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 168mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.7 mm | ||
Altura 4.3mm | ||
Longitud 28.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene un tipo de encapsulado TO-220 FULLPAK de cable delgado.
Tecnología de la serie E de 4th generación
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHA186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 8.4 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R800CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 8.4 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines