MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHA100N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 188-4870
- Referência do fabricante:
- SIHA100N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
126,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 950 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,534 € | 126,70 € |
| 100 - 200 | 2,382 € | 119,10 € |
| 250 + | 2,154 € | 107,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 188-4870
- Referência do fabricante:
- SIHA100N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Altura | 15.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.3mm | ||
Altura 15.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 12 A - SIHA100N60E-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y control de potencia en sistemas eléctricos exigentes. Funciona como dispositivo de modo de mejora y se suministra en un encapsulado TO-220 de orificio pasante con tres contactos para un montaje en PCB sencillo. El componente está diseñado para usar donde se requiere un manejo de tensión robusto y un montaje práctico.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 12 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 0,1 Ω reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 33 nC permite un comportamiento de conmutación predecible
• La disipación de potencia de 35 W permite un manejo de carga térmica sustancial
• La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C admite el uso a temperaturas elevadas
• La corriente de drenaje continua de 12 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 0,1 Ω reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 33 nC permite un comportamiento de conmutación predecible
• La disipación de potencia de 35 W permite un manejo de carga térmica sustancial
• La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C admite el uso a temperaturas elevadas
Aplicaciones
• Apto para etapas de accionamiento de motores de alta tensión en equipos de automatización
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado que manejan tensiones elevadas
• Se utiliza para elementos de conmutación de inversores y convertidores industriales
• Puede utilizarse para circuitos de controlador de relé y contactor en paneles de control
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado que manejan tensiones elevadas
• Se utiliza para elementos de conmutación de inversores y convertidores industriales
• Puede utilizarse para circuitos de controlador de relé y contactor en paneles de control
¿Qué método de montaje es necesario para una instalación fiable?
El dispositivo utiliza un estilo de montaje de orificio pasante en un cuerpo TO-220, lo que proporciona una conexión mecánica y térmica segura cuando se solda a una PCB y se atornilla opcionalmente a un disipador térmico a través de la pestaña del paquete.
¿Cómo afecta el rango de tensión de puerta al diseño de circuitos de control?
La potencia nominal máxima de puerta-fuente es de 30 V, por lo que las unidades de puerta deben permanecer dentro de este límite y normalmente funcionan con tensiones de nivel lógico comunes compatibles con el control de canal N en modo de mejora.
¿Qué temperaturas ambientales extremas puede tolerar durante el funcionamiento?
Está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos industriales de baja y alta temperatura.
¿Hay consideraciones normativas o de material para la eliminación o la reutilización?
El componente cumple la directiva RoHS, lo que indica el uso restringido de determinadas sustancias peligrosas en su fabricación.
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHA100N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SiHA186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHF068N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 16 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP052N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 48 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP068N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 41 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF085N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA105N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA125N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 3 pines