MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

2 508,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 08 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
1000 +2,508 €2 508,00 €

*preço indicativo

Código RS:
204-7226
Referência do fabricante:
SIHB17N80E-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

SiHB17N80E

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

122nC

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

15.88mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay serie E Power MOSFET tiene una figura de mérito (FOM) Ron x QG baja y una capacitancia de entrada (CISS) baja.

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.