MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 201 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 202-5687
- Referência do fabricante:
- NTB004N10G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
2 400,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 3200 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 3,00 € | 2 400,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 202-5687
- Referência do fabricante:
- NTB004N10G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 201A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.82mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 175nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 340W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Altura | 15.88mm | |
| Longitud | 10.63mm | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free and are RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 201A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.82mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 175nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 340W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Altura 15.88mm | ||
Longitud 10.63mm | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free and are RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET DE on Semiconductor funciona con 201 amperios y 100 voltios. Se puede utilizar en intercambio en caliente en sistemas de 48 V.
Baja resistencia de drenaje a encendido de la fuente
Capacidad de corriente alta
Amplia zona de funcionamiento segura
Sin plomo
Libre de halógenos
En conformidad con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTB004N10G, VDSS 100 V, ID 201 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 201 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB011N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 201 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D9N08XT1G, VDSS 80 V, ID 201 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS2D1N08XT1G, VDSS 80 V, ID 201 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 121 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 185 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-263 de 3 pines