MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 75.4 A, Mejora, TO-263 de 4 pines
- Código RS:
- 230-9077
- Referência do fabricante:
- NTB011N15MC
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | NTB01 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136.4W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 15.88mm | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie NTB01 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136.4W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 15.88mm | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET DE ON Semiconductor - MOSFET de zanja de potencia de puerta apantallada de canal N tiene una tensión de drenaje a fuente de 150 V.
Rendimiento de conmutación optimizado
RDS(on) máx. = 10,9 mΩ con VGS = 10 V, ID = 75,4 A.
El Qrr más bajo del sector y el diodo de cuerpo más suave para conmutación de ruido bajo superior
Qrr un 50 % más bajo que otros proveedores de MOSFET
Alta eficiencia con menor pico de conmutación y EMI
Reduce el ruido de conmutación/EMI
FOM de conmutación mejorada, especialmente QGD
100% UIL probado
Sin necesidad o menos amortiguador
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