MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D9N08XT1G, VDSS 80 V, ID 201 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 220-571
- Referência do fabricante:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 2 unidades)*
7,09 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1488 unidade(s) para enviar a partir do dia 19 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,545 € | 7,09 € |
| 20 - 198 | 3,20 € | 6,40 € |
| 200 - 998 | 2,95 € | 5,90 € |
| 1000 - 1998 | 2,735 € | 5,47 € |
| 2000 + | 2,225 € | 4,45 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-571
- Referência do fabricante:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 201A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | NVMFWS | |
| Encapsulado | SO-8FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 164W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC and PPAP Capable | |
| Anchura | 5.9 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 201A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie NVMFWS | ||
Encapsulado SO-8FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 164W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares AEC and PPAP Capable | ||
Anchura 5.9 mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de ON Semiconductor tiene un QRR bajo. Este dispositivo no contiene Pb, halógenos ni BFR.
RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas por conducción
Compatible con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS2D1N08XT1G, VDSS 80 V, ID 201 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 46 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 78 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 89 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 69 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 276 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS0D7N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 323 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTMFS005P03P8ZT1G, VDSS 30 V, ID 164 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines