Módulos MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STP33N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, TO-220FP, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-5529
- Referência do fabricante:
- STP33N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5529
- Referência do fabricante:
- STP33N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | ST | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.115Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie ST | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.115Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmeshTM DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado.
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