MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 761-2751
- Referência do fabricante:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 761-2751
- Referência do fabricante:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -25V, +25V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Altura | 16.4mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -25V, +25V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.6mm | ||
Altura 16.4mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
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